Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR670DP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3135375

Obraz SIR670DP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR670DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.587

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIR670DP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.SIR670DP-T1-GE3.pdf
2.SIR670DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Strata mocy (max)

5W (Ta), 56.8W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIR670DP-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

27 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2815pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

63nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR670DP-T1-GE3”.

SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR67-21C/TR8

Opis: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Producenci: Everlight Electronics

Na stanie

SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.