Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHJ6N65E-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
33387Obraz SIHJ6N65E-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHJ6N65E-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.067
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHJ6N65E-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHJ6N65E-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    868 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    74W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIHJ6N65E-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    596pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 5.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.6A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHJ6N65E-T1-GE3”.
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH21N65EF-T1-GE3

SIHH21N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP11N80E-GE3

SIHP11N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Opis: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.