Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHG17N60D-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4390921Obraz SIHG17N60D-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG17N60D-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
500+
$2.701
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHG17N60D-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHG17N60D-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AC
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    340 mOhm @ 8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    277.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1780pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHG17N60D-GE3”.
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG16N50C-E3

SIHG16N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHFR1N60ATR-GE3

SIHFR1N60ATR-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG17N80E-GE3

SIHG17N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHFS11N50A-GE3

SIHFS11N50A-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.