Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIB911DK-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4921230

SIB911DK-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.99
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIB911DK-T1-E3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIB911DK-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Moc - Max
    3.1W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Inne nazwy
    SIB911DK-T1-E3CT
    SIB911DKT1E3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    115pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4nC @ 8V
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Podstawowy numer części
    SIB911

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIB911DK-T1-E3”.
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Opis: .050 SIBF ASSEMBLY

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Opis: .050 SIBF ASSEMBLY

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Opis: .050 SIBF ASSEMBLY

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Opis: .050 SIBF ASSEMBLY

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.