Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIA517DJ-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2946442Obraz SIA517DJ-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA517DJ-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.79
10+
$0.663
100+
$0.498
500+
$0.365
1000+
$0.282
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIA517DJ-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIA517DJ-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Moc - Max
    6.5W
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Inne nazwy
    SIA517DJ-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    500pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A
  • Podstawowy numer części
    SIA517

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIA517DJ-T1-GE3”.
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA811DJ-T1-E3

SIA811DJ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA810DJ-T1-E3

SIA810DJ-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA810DJ-T1-GE3

SIA810DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA467EDJ-T1-GE3

SIA467EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA513DJ-T1-GE3

SIA513DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.