Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIA444DJT-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5522712Obraz SIA444DJT-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA444DJT-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.76
10+
$0.64
100+
$0.48
500+
$0.352
1000+
$0.272
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIA444DJT-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIA444DJT-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    17 mOhm @ 7.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-70-6
  • Inne nazwy
    SIA444DJT-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIA444DJT-T1-GE3”.
SIA450DJ-T1-GE3

SIA450DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA443DJ-T1-GE3

SIA443DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA453EDJ-T1-GE3

SIA453EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA450DJ-T1-E3

SIA450DJ-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA448DJ-T1-GE3

SIA448DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA443DJ-T1-E3

SIA443DJ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.