Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI8823EDB-T2-E1

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5580016

Obraz SI8823EDB-T2-E1.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8823EDB-T2-E1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.127

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI8823EDB-T2-E1
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI8823EDB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (maks.)

±8V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Seria

TrenchFET® Gen III
RDS (Max) @ ID, Vgs

95 mOhm @ 1A, 4.5V
Strata mocy (max)

900mW (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

4-XFBGA
Inne nazwy

SI8823EDB-T2-E1TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

46 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

580pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8823EDB-T2-E1”.

SI88241EC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88222BC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88240EC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88241BC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88240BC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88221BC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88241BC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88222BC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88240ED-ISR

SI88240ED-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Silicon Labs

Na stanie

SI88220EC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88220EC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88241EC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88222EC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88240BC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88221EC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88240ED-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88221EC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88222EC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88221BC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI88240EC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.