Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI8808DB-T2-E1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
310251Obraz SI8808DB-T2-E1.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8808DB-T2-E1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.173
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI8808DB-T2-E1
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI8808DB-T2-E1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-Microfoot
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    95 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    500mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-UFBGA
  • Inne nazwy
    SI8808DB-T2-E1TR
    SI8808DBT2E1
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    46 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    330pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 8V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    -

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8808DB-T2-E1”.
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI87XXLGA8-KIT

SI87XXLGA8-KIT

Opis: KIT EVAL SI871X 8-LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8806DB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI88220EC-IS

SI88220EC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI88220BC-IS

SI88220BC-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8752AB-ISR

SI8752AB-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI87XXSOIC8-KIT

SI87XXSOIC8-KIT

Opis: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI87XXSAMP-KIT

SI87XXSAMP-KIT

Opis: SAMPLE PACK SI87XX

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI87XXSDIP6-KIT

SI87XXSDIP6-KIT

Opis: KIT EVAL SI871X SO-6

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI87XXDIP8-KIT

SI87XXDIP8-KIT

Opis: KIT EVAL GW 8DIP SI871X

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8817DB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI88220BC-ISR

SI88220BC-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.