Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7942DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2091233Obraz SI7942DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7942DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.17
10+
$2.863
100+
$2.301
500+
$1.79
1000+
$1.483
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7942DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7942DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    49 mOhm @ 5.9A, 10V
  • Moc - Max
    1.4W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Inne nazwy
    SI7942DP-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    -
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.8A
  • Podstawowy numer części
    SI7942

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7942DP-T1-GE3”.
SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7923DN-T1-E3

SI7923DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7925DN-T1-E3

SI7925DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7925DN-T1-GE3

SI7925DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.