Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7718DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6656855

Obraz SI7718DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7718DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7718DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7718DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

6 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SI7718DN-T1-GE3TR
SI7718DNT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1600pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

45nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7718DN-T1-GE3”.

SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7682DP-T1-GE3

SI7682DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7686DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7674DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7682DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7738DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.