Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7456CDP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5181912

Obraz SI7456CDP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7456CDP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.838

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7456CDP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7456CDP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

23.5 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

5W (Ta), 35.7W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SI7456CDP-T1-GE3TR
SI7456CDPT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

730pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

23nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

N-Channel 100V 27.5A (Tc) 5W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

27.5A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7456CDP-T1-GE3”.

SI7454CDP-T1-GE3

SI7454CDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7454DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7455DP-T1-GE3

SI7455DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7454DDP-T1-GE3

SI7454DDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7455DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7460DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7452DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7461DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7456DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7452DP-T1-GE3

SI7452DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7457DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7459DP-T1-GE3

SI7459DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7450DP-T1-RE3

SI7450DP-T1-RE3

Opis: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7457DP-T1-GE3

SI7457DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7454DP-T1-GE3

SI7454DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7459DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.