Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7431DP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4890344

Obraz SI7431DP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7431DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$2.248

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7431DP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7431DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

174 mOhm @ 3.8A, 10V
Strata mocy (max)

1.9W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SI7431DP-T1-GE3-ND
SI7431DP-T1-GE3TR
SI7431DPT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

135nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

200V
szczegółowy opis

P-Channel 200V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7431DP-T1-GE3”.

SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7434DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7446BDP-T1-E3

SI7446BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7440DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7421DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7431DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7434ADP-T1-RE3

SI7434ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7425DN-T1-GE3

SI7425DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7430DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7445DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7425DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7434DP-T1-GE3

SI7434DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7439DP-T1-GE3

SI7439DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7423DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7439DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7415DN-T1-GE3

SI7415DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7421DN-T1-GE3

SI7421DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7440DP-T1-GE3

SI7440DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7445DP-T1-GE3

SI7445DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.