Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI5424DC-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2859594

Obraz SI5424DC-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5424DC-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.30

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI5424DC-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI5424DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±25V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

1206-8 ChipFET™
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

24 mOhm @ 4.8A, 10V
Strata mocy (max)

2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-SMD, Flat Lead
Inne nazwy

SI5424DC-T1-GE3TR
SI5424DCT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

950pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

32nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI5424DC-T1-GE3”.

SI5440DC-T1-GE3

SI5440DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5424DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5441DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5435BDC-T1-E3

SI5435BDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5429DU-T1-GE3

SI5429DU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5415EDU-T1-GE3

SI5415EDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5433BDC-T1-E3

SI5433BDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5432DC-T1-GE3

SI5432DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5433BDC-T1-GE3

SI5433BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5406DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.