Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4833BDY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6779992

SI4833BDY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.306
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4833BDY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4833BDY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    LITTLE FOOT®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    68 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.75W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4833BDY-T1-GE3-ND
    SI4833BDY-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    350pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 4.6A (Tc) 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4833BDY-T1-GE3”.
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Opis: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4834BDY-T1-GE3

SI4834BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Opis: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4835-B30-GUR

SI4835-B30-GUR

Opis: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4835-DEMO

SI4835-DEMO

Opis: BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4835-B30-GU

SI4835-B30-GU

Opis: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Opis: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4835BDY-T1-E3

SI4835BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.