Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI2366DS-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1393769

SI2366DS-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.178
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI2366DS-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI2366DS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    36 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SI2366DS-T1-GE3-ND
    SI2366DS-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    335pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 5.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI2366DS-T1-GE3”.
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

Opis: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.