Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI2302DDS-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3559651

SI2302DDS-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.62
10+
$0.489
100+
$0.336
500+
$0.23
1000+
$0.173
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI2302DDS-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHAN 20V SOT23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI2302DDS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    710mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SI2302DDS-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    27 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Tj)

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI2302DDS-T1-GE3”.
SI2304-TP

SI2304-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2302A-TP

SI2302A-TP

Opis: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302DS,215

SI2302DS,215

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
SI2303BDS-T1

SI2303BDS-T1

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302-TP

SI2302-TP

Opis: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2303-TP

SI2303-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.