Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1JHE3/5AT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
776987Obraz S1JHE3/5AT.Electro-Films (EFI) / Vishay

S1JHE3/5AT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1JHE3/5AT
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.S1JHE3/5AT.pdf
    2.S1JHE3/5AT.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.8µs
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    S1JHE3/5ATGICT
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    12pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    S1J

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „S1JHE3/5AT”.
S1JFSHMWG

S1JFSHMWG

Opis: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JFP

S1JFP

Opis: DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
S1JL MHG

S1JL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JBTR

S1JBTR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JHE3/61T

S1JHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1JHR3G

S1JHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JL MQG

S1JL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JFL

S1JFL

Opis: DIODE GP 600V 1A SOD123F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
S1JHE3_A/I

S1JHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1JFS MWG

S1JFS MWG

Opis: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JHE

S1JHE

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
S1JFSHMXG

S1JFSHMXG

Opis: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JL MTG

S1JL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JHE3_A/H

S1JHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1JHM2G

S1JHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JL M2G

S1JL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JBHR5G

S1JBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JFS MXG

S1JFS MXG

Opis: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1JHM3/61T

S1JHM3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.