Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ESH1B-E3/61T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6178898Obraz ESH1B-E3/61T.Electro-Films (EFI) / Vishay

ESH1B-E3/61T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1800+
$0.109
3600+
$0.098
5400+
$0.092
12600+
$0.084
45000+
$0.079
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ESH1B-E3/61T
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    900mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    ESH1B-E3/61T-ND
    ESH1B-E3/61TGITR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    -
ESH1D R3G

ESH1D R3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH1D M2G

ESH1D M2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH1B R3G

ESH1B R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Opis: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH108M035AL3AA

ESH108M035AL3AA

Opis: CAP ALUM 1000UF 20% 35V T/H

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH108M050AM7AA

ESH108M050AM7AA

Opis: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH108M050AL4AA

ESH108M050AL4AA

Opis: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH1B M2G

ESH1B M2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH108M6R3AH1AA

ESH108M6R3AH1AA

Opis: CAP ALUM 1000UF 20% 6.3V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH108M063AM2AA

ESH108M063AM2AA

Opis: CAP ALUM 1000UF 20% 63V T/H

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH157M450AN7AA

ESH157M450AN7AA

Opis: CAP ALUM 150UF 20% 450V T/H

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść