Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > BYV16-TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4523691Obraz BYV16-TR.Electro-Films (EFI) / Vishay

BYV16-TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
25000+
$0.21
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BYV16-TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-57
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    300ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOD-57, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Avalanche
  • szczegółowy opis
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Through Hole SOD-57
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.5A
  • Pojemność @ VR F
    -
BYV25X-600,127

BYV25X-600,127

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV15-TR

BYV15-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV25D-600,118

BYV25D-600,118

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV26A-TR

BYV26A-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV25FB-600,118

BYV25FB-600,118

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK

Producenci: WeEn Semiconductors
Na stanie
BYV16-TAP

BYV16-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV12-TR

BYV12-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV25F-600,127

BYV25F-600,127

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV25G-600,127

BYV25G-600,127

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV14-TR

BYV14-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV255V-200

BYV255V-200

Opis: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
BYV25FD-600,118

BYV25FD-600,118

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV12-TAP

BYV12-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV15-TAP

BYV15-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV26A-TAP

BYV26A-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV14-TAP

BYV14-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV10X-600PQ

BYV10X-600PQ

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV25FX-600,127

BYV25FX-600,127

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
BYV13-TR

BYV13-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYV13-TAP

BYV13-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść