Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2051ENGRT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5149484Obraz EPC2051ENGRT.EPC

EPC2051ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.58
10+
$1.395
100+
$1.103
500+
$0.855
1000+
$0.675
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2051ENGRT
  • Producent / marka
    EPC
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1.5mA
  • Vgs (maks.)
    +6V, -4V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    25 mOhm @ 3A, 5V
  • Strata mocy (max)
    -
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2051ENGRDKR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    280pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.3nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 1.7A Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.7A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „EPC2051ENGRT”.
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

Opis: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2039ENGRT

EPC2039ENGRT

Opis: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2101

EPC2101

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2039

EPC2039

Opis: TRANS GAN 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

Opis: TRANS GAN 40V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2102

EPC2102

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2103

EPC2103

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

Opis: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2040

EPC2040

Opis: MOSFET NCH 15V 3.4A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT

Opis: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2100

EPC2100

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2040ENGRT

EPC2040ENGRT

Opis: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2040ENGR

EPC2040ENGR

Opis: TRANS GAN 25V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2046ENGRT

EPC2046ENGRT

Opis: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.