Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > PMIC - przełączniki dystrybucyjne, sterowniki obci > ZXMS6004DN8-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6893329Obraz ZXMS6004DN8-13.Diodes Incorporated

ZXMS6004DN8-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.385
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMS6004DN8-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 1.3A SO8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMS6004DN8-13.pdf
  • Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd)
    3.3V, 5V
  • Napięcie - Obciążenie
    60V (Max)
  • Typ przełącznika
    General Purpose
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    INTELLIFET®
  • Rds On (Typ)
    350 mOhm
  • Ratio - Wejście: Wyjście
    1:1
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Typ wyjścia
    N-Channel
  • Konfiguracja wyjściowa
    Low Side
  • Inne nazwy
    ZXMS6004DN8-13DITR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Liczba wyjść
    2
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    38 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Berło
    On/Off
  • Typ wejścia
    Non-Inverting
  • cechy
    Auto Restart
  • Ochrona usterek
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
  • Obecny - Wyjście (Max)
    1.3A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMS6004DN8-13”.
ZXMS6004FFQTA

ZXMS6004FFQTA

Opis: MOSFET 60V N-CHAN SOT23F

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004N8-13

ZXMS6004N8-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.3A S08

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17KQTC

ZXMP7A17KQTC

Opis: MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004DGTA

ZXMS6004DGTA

Opis: IC LOW SIDE DRIVER SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004DT8TA

ZXMS6004DT8TA

Opis: MOSF N CH 60V 900MA SM8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004SGTA

ZXMS6004SGTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004FFTA

ZXMS6004FFTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.3A SOT23F

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6002GQTA

ZXMS6002GQTA

Opis: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004DN8Q-13

ZXMS6004DN8Q-13

Opis: LOW SIDE INTELLIFET SO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6005DGQTA

ZXMS6005DGQTA

Opis: IC LOW SIDE DRIVER

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC

Opis: MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004N8Q-13

ZXMS6004N8Q-13

Opis: LOW SIDE INTELLIFET SO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6001N3TA

ZXMS6001N3TA

Opis: MOSFET N-CH PROTECTED 60V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6005DGTA

ZXMS6005DGTA

Opis: MOSFET N CH 60V 1.4A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6003GTA

ZXMS6003GTA

Opis: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA

Opis: MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6002GTA

ZXMS6002GTA

Opis: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC

Opis: MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6004DT8QTA

ZXMS6004DT8QTA

Opis: IC LOW SIDE DRIVER

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17GQTA

ZXMP7A17GQTA

Opis: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.