Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXMP6A17N8TC
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5777241Obraz ZXMP6A17N8TC.Diodes Incorporated

ZXMP6A17N8TC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.367
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMP6A17N8TC
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMP6A17N8TC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    125 mOhm @ 2.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.56W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    ZXMP6A17N8TCTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    637pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 2.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMP6A17N8TC”.
ZXMP6A17DN8TA

ZXMP6A17DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC

Opis: MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6001N3TA

ZXMS6001N3TA

Opis: MOSFET N-CH PROTECTED 60V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17GQTA

ZXMP7A17GQTA

Opis: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A16DN8TC

ZXMP6A16DN8TC

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6002GTA

ZXMS6002GTA

Opis: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17KQTC

ZXMP7A17KQTC

Opis: MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6003GTA

ZXMS6003GTA

Opis: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A17KTC

ZXMP6A17KTC

Opis: MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A18DN8TA

ZXMP6A18DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA

Opis: MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A16DN8TA

ZXMP6A16DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC

Opis: MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMS6002GQTA

ZXMS6002GQTA

Opis: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A16KTC

ZXMP6A16KTC

Opis: MOSFET P-CH 60V DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A16GTA

ZXMP6A16GTA

Opis: MOSFET P-CH SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A17E6QTA

ZXMP6A17E6QTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.