Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXMP3F37N8TA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6860986Obraz ZXMP3F37N8TA.Diodes Incorporated

ZXMP3F37N8TA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMP3F37N8TA
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMP3F37N8TA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.56W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    ZXMP3F37N8TADI
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1678pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    31.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.4A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMP3F37N8TA”.
ZXMP3A16DN8TA

ZXMP3A16DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A16DN8QTA

ZXMP6A16DN8QTA

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP4A16GQTA

ZXMP4A16GQTA

Opis: MOSFET P-CH 40V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3F37DN8TA

ZXMP3F37DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA

Opis: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3F36N8TA

ZXMP3F36N8TA

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F30FHTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A13GQTA

ZXMP6A13GQTA

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP6A13FQTA

ZXMP6A13FQTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A17DN8TA

ZXMP3A17DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP4A57E6TA

ZXMP4A57E6TA

Opis: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3F35N8TA

ZXMP3F35N8TA

Opis: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP4A16GQTC

ZXMP4A16GQTC

Opis: MOSFET P-CH 40V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A16N8TA

ZXMP3A16N8TA

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP4A16KTC

ZXMP4A16KTC

Opis: MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.