Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXMHC10A07T8TA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
679272Obraz ZXMHC10A07T8TA.Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.02
10+
$1.824
100+
$1.466
500+
$1.14
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMHC10A07T8TA
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMHC10A07T8TA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SM8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    700 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Moc - Max
    1.3W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-223-8
  • Inne nazwy
    ZXMHC10A07T8CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A, 800mA
  • Podstawowy numer części
    ZXMHC10A07T8

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMHC10A07T8TA”.
ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD63P03XTA

ZXMD63P03XTA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD63P02XTC

ZXMD63P02XTC

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD65N02N8TA

ZXMD65N02N8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Opis: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD65N03N8TA

ZXMD65N03N8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Opis: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Opis: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD65P02N8TC

ZXMD65P02N8TC

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD63P02XTA

ZXMD63P02XTA

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMD63P03XTC

ZXMD63P03XTC

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.