Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZVP3306ASTZ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3060762

ZVP3306ASTZ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZVP3306ASTZ
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZVP3306ASTZ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    14 Ohm @ 200mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    625mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    E-Line-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    50pF @ 18V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 160mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    160mA (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZVP3306ASTZ”.
ZVP3306FTA

ZVP3306FTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110GTA

ZVP2110GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3310ASTZ

ZVP3310ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120GTC

ZVP2120GTC

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110GTC

ZVP2110GTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3310FTA

ZVP3310FTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3310ASTOB

ZVP3310ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3306FTC

ZVP3306FTC

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP4105A

ZVP4105A

Opis: MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP4105ASTOA

ZVP4105ASTOA

Opis: MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3306A

ZVP3306A

Opis: MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3306ASTOB

ZVP3306ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120A

ZVP2120A

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120ASTOB

ZVP2120ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3310A

ZVP3310A

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3310ASTOA

ZVP3310ASTOA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120GTA

ZVP2120GTA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP3310FTC

ZVP3310FTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120ASTOA

ZVP2120ASTOA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.