Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZVP2106GTC
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6889636Obraz ZVP2106GTC.Diodes Incorporated

ZVP2106GTC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZVP2106GTC
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 0.45A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZVP2106GTC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    100pF @ 18V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 450mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    450mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZVP2106GTC”.
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2106ASTOB

ZVP2106ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110ASTOB

ZVP2110ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2106GTA

ZVP2106GTA

Opis: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2106A

ZVP2106A

Opis: MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2106ASTOA

ZVP2106ASTOA

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110ASTOA

ZVP2110ASTOA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110A

ZVP2110A

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2106AS

ZVP2106AS

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120A

ZVP2120A

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2106ASTZ

ZVP2106ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110GTA

ZVP2110GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120ASTOB

ZVP2120ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP1320FTC

ZVP1320FTC

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP1320ASTOB

ZVP1320ASTOB

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110ASTZ

ZVP2110ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP1320ASTZ

ZVP1320ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2110GTC

ZVP2110GTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVP2120ASTOA

ZVP2120ASTOA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.