Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZVNL110GTA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
867898Obraz ZVNL110GTA.Diodes Incorporated

ZVNL110GTA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.12
10+
$0.991
100+
$0.784
500+
$0.608
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZVNL110GTA
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    ZVNL110GTA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    ZVNL110G
    ZVNL110GCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    75pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 600mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    600mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZVNL110GTA”.
ZVN4525GTA

ZVN4525GTA

Opis: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120C

ZVNL120C

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4525ZTA

ZVN4525ZTA

Opis: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4525GTC

ZVN4525GTC

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120GTC

ZVNL120GTC

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120ASTOA

ZVNL120ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA

Opis: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4424ZTA

ZVN4424ZTA

Opis: MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120GTA

ZVNL120GTA

Opis: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL110ASTOA

ZVNL110ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120CSTZ

ZVNL120CSTZ

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL110ASTZ

ZVNL110ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL110A

ZVNL110A

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4525E6TC

ZVN4525E6TC

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120A

ZVNL120A

Opis: MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120ASTOB

ZVNL120ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL120CSTOA

ZVNL120CSTOA

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL110ASTOB

ZVNL110ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVNL110GTC

ZVNL110GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.