Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZVN4306AVSTOB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3593820

ZVN4306AVSTOB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZVN4306AVSTOB
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZVN4306AVSTOB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    330 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    850mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    E-Line-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    350pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.1A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZVN4306AVSTOB”.
ZVN4210ASTZ

ZVN4210ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306ASTOB

ZVN4306ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4310GTA

ZVN4310GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306GTC

ZVN4306GTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306GVTA

ZVN4306GVTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306ASTOA

ZVN4306ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210ASTOB

ZVN4210ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306AVSTZ

ZVN4306AVSTZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210GTC

ZVN4210GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306GVTC

ZVN4306GVTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4310ASTZ

ZVN4310ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4310A

ZVN4310A

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306GTA

ZVN4306GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210GTA

ZVN4210GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306AVSTOA

ZVN4306AVSTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4310ASTOB

ZVN4310ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306A

ZVN4306A

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306ASTZ

ZVN4306ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4310GTC

ZVN4310GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4306AV

ZVN4306AV

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.