Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMTH6010SCT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2247113

DMTH6010SCT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.81
50+
$1.449
100+
$1.268
500+
$0.983
1000+
$0.776
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMTH6010SCT
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMTH6010SCT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.8W (Ta), 125W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    DMTH6010SCTDI-5
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1940pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    36.3nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMTH6010SCT”.
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Opis: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.