Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMTH6005LCT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1113533

DMTH6005LCT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$1.143
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMTH6005LCT
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMTH6005LCT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.8W (Ta), 125W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2962pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    47.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMTH6005LCT”.
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Opis: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Opis: MOSFET 60V 90A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Opis: MOSFET 60V 100A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.