Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMTH4004SCTB-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6069221Obraz DMTH4004SCTB-13.Diodes Incorporated

DMTH4004SCTB-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$0.878
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMTH4004SCTB-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMTH4004SCTB-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    4.7W (Ta), 136W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    DMTH4004SCTB-13DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4305pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    68.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMTH4004SCTB-13”.
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4005SK3-13

DMTH4005SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 95A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004SPSQ-13

DMTH4004SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004SK3Q-13

DMTH4004SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4005SPS-13

DMTH4005SPS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Opis: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004SCTBQ-13

DMTH4004SCTBQ-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004LK3-13

DMTH4004LK3-13

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4005SCT

DMTH4005SCT

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004LPS-13

DMTH4004LPS-13

Opis: MOSFET NCH 40V 26A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004SPS-13

DMTH4004SPS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4005SPSQ-13

DMTH4005SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4005SK3Q-13

DMTH4005SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 40V 95A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004SK3-13

DMTH4004SK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.