Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT6015LPS-13

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1330694

Obraz DMT6015LPS-13.

Diodes Incorporated

DMT6015LPS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.384

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

DMT6015LPS-13
Producent / marka

Diodes Incorporated
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

DMT6015LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerDI5060-8
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

16 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

1.16W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerTDFN
Inne nazwy

DMT6015LPS-13-ND
DMT6015LPS-13DITR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

20 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1103pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

18.9nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 10.6A (Ta), 31A (Tc) 1.16W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 31A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT6015LPS-13”.

DMT6015LFV-13

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6016LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6015LFV-7

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6015LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6016LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6017LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT68M8LSS-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6016LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6016LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.