Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT36M1LPS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6272002Obraz DMT36M1LPS-13.Diodes Incorporated

DMT36M1LPS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.64
10+
$0.542
100+
$0.406
500+
$0.298
1000+
$0.23
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT36M1LPS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMT36M1LPS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI5060-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.6W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    DMT36M1LPS-13DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1155pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    65A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT36M1LPS-13”.
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Opis: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Opis: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Opis: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Opis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.