Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMP45H4D9HJ3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
639437

DMP45H4D9HJ3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
75+
$0.815
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMP45H4D9HJ3
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMP45H4D9HJ3.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
  • Strata mocy (max)
    104W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    547pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    13.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    450V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 450V 4.6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMP45H4D9HJ3”.
DMP58D0LFB-7B

DMP58D0LFB-7B

Opis: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP57D5UFB-7

DMP57D5UFB-7

Opis: MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT23 T&R

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP510DL-7

DMP510DL-7

Opis: MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP45H21DHE-13

DMP45H21DHE-13

Opis: MOSFETP-CHAN 450V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4065S-7

DMP4065S-7

Opis: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13

Opis: MOSFETP-CHAN 450VSOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP57D5UV-7

DMP57D5UV-7

Opis: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP56D0UFB-7

DMP56D0UFB-7

Opis: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4065S-13

DMP4065S-13

Opis: MOSFET P-CH 40V 3.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP56D0UFB-7B

DMP56D0UFB-7B

Opis: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Opis: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13

Opis: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP510DL-13

DMP510DL-13

Opis: MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4065SQ-13

DMP4065SQ-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT23 T&R

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP58D0LFB-7

DMP58D0LFB-7

Opis: MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4050SSDQ-13

DMP4050SSDQ-13

Opis: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13

Opis: MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP4050SSD-13

DMP4050SSD-13

Opis: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP56D0UV-7

DMP56D0UV-7

Opis: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.