Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMNH6042SPD-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2679187Obraz DMNH6042SPD-13.Diodes Incorporated

DMNH6042SPD-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.374
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMNH6042SPD-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 60V 25A TO252
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMNH6042SPD-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI5060-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    50 mOhm @ 5.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    584pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.8nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 5.7A (Ta), 24A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Ta), 24A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMNH6042SPD-13”.
DMNH6042SSD-13

DMNH6042SSD-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6042SPDQ-13

DMNH6042SPDQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6022SSDQ-13

DMNH6022SSDQ-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6042SK3-13

DMNH6042SK3-13

Opis: MOSFET NCH 60V 25A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012SPSQ-13

DMNH6012SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 50A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SPS-13

DMNH6021SPS-13

Opis: MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6042SK3Q-13

DMNH6042SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 25A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6042SPSQ-13

DMNH6042SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 24A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SPDQ-13

DMNH6021SPDQ-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6008SPSQ-13

DMNH6008SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6042SSDQ-13

DMNH6042SSDQ-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SPD-13

DMNH6021SPD-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012LK3-13

DMNH6012LK3-13

Opis: MOSFET NCH 60V 60A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SK3-13

DMNH6021SK3-13

Opis: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6022SSD-13

DMNH6022SSD-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SPSQ-13

DMNH6021SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6042SPS-13

DMNH6042SPS-13

Opis: MOSFET NCH 60V 24A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012LK3Q-13

DMNH6012LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 80A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.