Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMNH6008SCTQ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5434465

DMNH6008SCTQ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.14
50+
$1.725
100+
$1.553
500+
$1.208
1000+
$1.001
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMNH6008SCTQ
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMNH6008SCTQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    210W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    DMNH6008SCTQ-ND
    DMNH6008SCTQDI
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2596pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMNH6008SCTQ”.
DMNH6021SPD-13

DMNH6021SPD-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Opis: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012LK3Q-13

DMNH6012LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 60V 80A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6008SCT

DMNH6008SCT

Opis: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SK3-13

DMNH6021SK3-13

Opis: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6021SPDQ-13

DMNH6021SPDQ-13

Opis: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012LK3-13

DMNH6012LK3-13

Opis: MOSFET NCH 60V 60A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Opis: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6012SPSQ-13

DMNH6012SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 50A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH6008SPSQ-13

DMNH6008SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.