Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMNH10H028SPS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2001658Obraz DMNH10H028SPS-13.Diodes Incorporated

DMNH10H028SPS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.62
10+
$1.432
100+
$1.132
500+
$0.878
1000+
$0.693
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMNH10H028SPS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMNH10H028SPS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI5060-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    DMNH10H028SPS-13DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2245pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMNH10H028SPS-13”.
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Opis: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Opis: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Opis: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Opis: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.