Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN65D8LQ-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
275301Obraz DMN65D8LQ-7.Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.041
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN65D8LQ-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V SOT23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN65D8LQ-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    370mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN65D8LQ-7-ND
    DMN65D8LQ-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.87nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    310mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN65D8LQ-7”.
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Opis: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Opis: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.