Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN6069SE-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6744828Obraz DMN6069SE-13.Diodes Incorporated

DMN6069SE-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.199
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN6069SE-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFETN-CH 60VSOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN6069SE-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    69 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    DMN6069SE-13DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    825pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 4.3A (Ta), 10A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Ta), 10A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN6069SE-13”.
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SSS-13

DMN6040SSS-13

Opis: MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Opis: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SVTQ-13

DMN6040SVTQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 5A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7

Opis: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6066SSD-13

DMN6066SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.