Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN3016LSS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
416407Obraz DMN3016LSS-13.Diodes Incorporated

DMN3016LSS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.64
10+
$0.535
100+
$0.402
500+
$0.294
1000+
$0.228
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN3016LSS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN3016LSS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12 mOhm @ 12A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.5W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    DMN3016LSS-13DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN3016LSS-13”.
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Opis: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Opis: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Opis: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.