Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN10H220LVT-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
176805Obraz DMN10H220LVT-7.Diodes Incorporated

DMN10H220LVT-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.62
10+
$0.533
100+
$0.398
500+
$0.313
1000+
$0.242
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN10H220LVT-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN10H220LVT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSOT-26
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    220 mOhm @ 1.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.67W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    DMN10H220LVT-7DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    401pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.87A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN10H220LVT-7”.
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Opis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Opis: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Opis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Opis: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Opis: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Opis: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.