Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMG4800LK3-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4213853Obraz DMG4800LK3-13.Diodes Incorporated

DMG4800LK3-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.223
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG4800LK3-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 10A TO252
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMG4800LK3-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    17 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.71W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    DMG4800LK3-13DITR
    DMG4800LK313
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMG4800LK3-13”.
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Opis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Opis: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Opis: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Opis: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Opis: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Opis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.