Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMG3401LSN-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2493705Obraz DMG3401LSN-7.Diodes Incorporated

DMG3401LSN-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.098
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG3401LSN-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 3A SC59
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMG3401LSN-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-59
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    50 mOhm @ 4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    800mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMG3401LSN-7DITR
    DMG3401LSN7
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1326pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SC-59
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMG3401LSN-7”.
DMG301NU-13

DMG301NU-13

Opis: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG264020R

DMG264020R

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG264120R

DMG264120R

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG264H00R

DMG264H00R

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG301NU-7

DMG301NU-7

Opis: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG264060R

DMG264060R

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG302PU-7

DMG302PU-7

Opis: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG264050R

DMG264050R

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG264040R

DMG264040R

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG302PU-13

DMG302PU-13

Opis: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.