Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > PMIC - sterowniki bramek > DGD2117S8-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5712680Obraz DGD2117S8-13.Diodes Incorporated

DGD2117S8-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.972
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DGD2117S8-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DGD2117S8-13.pdf
  • Napięcie - Dostawa
    10 V ~ 20 V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • Czas narastania / spadku (typ)
    75ns, 35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Częstotliwość wejściowa
    1
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Napięcie logiczne - VIL, VIH
    6V, 9.5V
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Non-Inverting
  • Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap)
    600V
  • Typ bramy
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • Konfiguracja napędzana
    High-Side
  • szczegółowy opis
    High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
  • Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak)
    290mA, 600mA
  • Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max)
    Single

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DGD2117S8-13”.
DGD2106MS8-13

DGD2106MS8-13

Opis: HV GATE DRIVER SO-8 T&R 2.5K

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21064S14-13

DGD21064S14-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2110S16-13

DGD2110S16-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21084S14-13

DGD21084S14-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2136S28-13

DGD2136S28-13

Opis: HV GATE DRIVER SO-28

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2184S8-13

DGD2184S8-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21904MS14-13

DGD21904MS14-13

Opis: HV GATE DRIVER SO-14 T&R 2.5K

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21064MS14-13

DGD21064MS14-13

Opis: HV GATE DRIVER SO-14 T&R 2.5K

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2181S8-13

DGD2181S8-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21904S14-13

DGD21904S14-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2106S8-13

DGD2106S8-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2118S8-13

DGD2118S8-13

Opis: IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2190S8-13

DGD2190S8-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2104S8-13

DGD2104S8-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2108S8-13

DGD2108S8-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2190MS8-13

DGD2190MS8-13

Opis: HV GATE DRIVER SO-8 T&R 2.5K

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21814S14-13

DGD21814S14-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2104MS8-13

DGD2104MS8-13

Opis: IC GATE DRVR HV SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD2113S16-13

DGD2113S16-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DGD21844S14-13

DGD21844S14-13

Opis: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.