Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSS123W-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6598411Obraz BSS123W-7.Diodes Incorporated

BSS123W-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSS123W-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    BSS123W-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-323
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 Ohm @ 170mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    BSS123WDITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    60pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSS123W-7”.
BSS123L7874XT

BSS123L7874XT

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS123TC

BSS123TC

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS123LT1

BSS123LT1

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS123LT3G

BSS123LT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS126H6327XTSA1

BSS126H6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS126 E6906

BSS126 E6906

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS123LT1G

BSS123LT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS123LT3

BSS123LT3

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BSS123_D87Z

BSS123_D87Z

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS126 E6327

BSS126 E6327

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS126L6327HTSA1

BSS126L6327HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS126H6906XTSA1

BSS126H6906XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS123W

BSS123W

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS123TA

BSS123TA

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BSS126L6906HTSA1

BSS126L6906HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.