Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > APT13003NZTR-G1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2642700

APT13003NZTR-G1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.39
10+
$0.314
100+
$0.214
500+
$0.16
1000+
$0.12
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT13003NZTR-G1
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC POWER TRANSISTOR HV TO92
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    APT13003NZTR-G1.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    900V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    400mV @ 250mA, 1A
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-92
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    1W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Inne nazwy
    APT13003NZTR-G1DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    4MHz
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 1.5A 4MHz 1W Through Hole TO-92
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    5 @ 1A, 2V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    -
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    1.5A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT13003NZTR-G1”.
APT13003HZTR-G1

APT13003HZTR-G1

Opis: TRANS NPN 465V 1.5A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003DZTR-G1

APT13003DZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.5A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005DTF-G1

APT13005DTF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003EZTR-G1

APT13003EZTR-G1

Opis: TRANS NPN 465V 1.5A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003LZTR-G1

APT13003LZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003HU-G1

APT13003HU-G1

Opis: TRANS NPN 465V 1.5A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DT-G1

APT13005DT-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003SU-G1

APT13003SU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.3A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003DU-G1

APT13003DU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.5A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003SZTR-G1

APT13003SZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.3A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003EU-G1

APT13003EU-G1

Opis: TRANS NPN 465V 1.5A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003DI-G1

APT13003DI-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT12F60K

APT12F60K

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DI-G1

APT13005DI-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.