Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > HER308GT-G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
475280

HER308GT-G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1200+
$0.225
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HER308GT-G
  • Producent / marka
    Comchip Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HER308GT-G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-27
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-27
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HER308GT-G”.
HER308-TP

HER308-TP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER601-AP

HER601-AP

Opis: DIODE GPP HE 6A R-6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER503GP-TP

HER503GP-TP

Opis: 5A,200V,HIGH EFFICIENT RECTIFIER

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER307GA-G

HER307GA-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
HER308G A0G

HER308G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER307G B0G

HER307G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER307GT-G

HER307GT-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
HER601G B0G

HER601G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER602-T

HER602-T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
HER601-T

HER601-T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
HER602-TP

HER602-TP

Opis: DIODE GPP HE 6A R-6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER308G R0G

HER308G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER602-AP

HER602-AP

Opis: DIODE GPP HE 6A R-6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER601G R0G

HER601G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER307G R0G

HER307G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER601-TP

HER601-TP

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER308GA-G

HER308GA-G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
HER308-AP

HER308-AP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
HER601G A0G

HER601G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
HER308G B0G

HER308G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.