Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NE3516S02-T1C-A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4134662Obraz NE3516S02-T1C-A.CEL (California Eastern Laboratories)

NE3516S02-T1C-A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NE3516S02-T1C-A
  • Producent / marka
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NE3516S02-T1C-A.pdf
  • Napięcie - Test
    2V
  • Napięcie - znamionowe
    4V
  • Typ tranzystora
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    S02
  • Seria
    -
  • Moc - Wyjście
    165mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-SMD, Flat Leads
  • noise Figure
    0.35dB
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Zdobyć
    14dB
  • Częstotliwość
    12GHz
  • szczegółowy opis
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
  • Aktualna ocena
    60mA
  • Obecny - Test
    10mA

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NE3516S02-T1C-A”.
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Opis: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Opis: HJ-FET NCH 10DB S02

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Opis: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Opis: FET RF 4V 20GHZ S03

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Opis: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Opis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Opis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Opis: FET RF 4V 20GHZ S03

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Opis: FET RF 4V 20GHZ S03

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Opis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Opis: HJ-FET NCH 10DB S02

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Opis: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE3X3WH6-A

NE3X3WH6-A

Opis: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
NE3X3WH6

NE3X3WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Opis: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.