Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > AON6414AL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6643083

AON6414AL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AON6414AL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-DFN (5x6)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.3W (Ta), 31W (Tc)
  • Package / Case
    8-VDFN Exposed Pad
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1380pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta), 30A (Tc)
AON6435

AON6435

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6418

AON6418

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A SDMOS 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6408L

AON6408L

Opis: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6407

AON6407

Opis: MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6424

AON6424

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6405L_102

AON6405L_102

Opis: MOSFET P-CH 30V 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6411

AON6411

Opis: MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6416

AON6416

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6414G

AON6414G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6428_103

AON6428_103

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6426

AON6426

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6405

AON6405

Opis: MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6414A

AON6414A

Opis: MOSFET N-CH 30V 5X6DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6413_101

AON6413_101

Opis: MOSFET P-CH 30V 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6413

AON6413

Opis: MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6411_001

AON6411_001

Opis: MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6424A

AON6424A

Opis: MOSFET N-CH 30V DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6410

AON6410

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6428

AON6428

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
AON6442

AON6442

Opis: MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść