Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C8M32S-7TCN

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3758811

Obraz AS4C8M32S-7TCN.

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32S-7TCN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

108+

$4.914

324+

$4.895

540+

$4.59

1080+

$4.394

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

AS4C8M32S-7TCN
Producent / marka

Alliance Memory, Inc.
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

AS4C8M32S-7TCN.pdf
Zapisać czas cyklu - słowo, strona

-
Napięcie - Dostawa

3 V ~ 3.6 V
Technologia

SDRAM
Dostawca urządzeń Pakiet

86-TSOP II
Seria

-
Opakowania

Tray
Package / Case

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Inne nazwy

1450-1336
temperatura robocza

0°C ~ 70°C (TA)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

3 (168 Hours)
Typ pamięci

Volatile
Rozmiar pamięci

256Mb (8M x 32)
Interfejs pamięci

Parallel
Format pamięci

DRAM
Standardowy czas oczekiwania producenta

8 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
Częstotliwość zegara

143MHz
Czas dostępu

5.5ns

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C8M32S-7TCN”.

AS4C8M32S-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4PDHM3/86A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na stanie

AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4PD-M3/87A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32S-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4PDHM3/87A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na stanie

AS4PD-M3/86A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4PDHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

AS4C8M32S-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.